посмотрел даташит, например на обсуждавшийся IRF3205.
Не нашел подтверждения идеи @flexprint
например, возьмем, график
Если бы увеличение Vds приводило к тому, что при том же Vgs транзистор хуже открывался - горизонтальные полки на графиках для конкретных Vgs загибались бы вниз при движении вправо. А этого нет, они даже немного растут.
я не знаю как еще сказать. ты не со мной споришь. вот мое мнение, идея или пофиг как назвать:
Это все, законченная мысль.
ну ок.
Просто тогда получается, что твое сообщение #171 ничего не добавляет к теме, а написано только для того, чтобы что-то сказать…
потому как на самом деле никакой проблемы (Vgs < Vds) нет
Хм
И че?
Мы рассматриваем только один график при конкретном Vgs . Я его обвел
В общем, по мне так из графика следует, что “третья строчка” таблицы, где описан Vgs, вполне применима не только для случая (Vgs = Vds)
А примечание к ней только сообщает об условиях измерения и ничего более
аа теперь понял суть вопроса. ок. рассмотрим этот график. я кстати в начале темы тупанул на ту же тему.
добавлю:
предыдущие сообщения которые вызвали у тебя вопросы, они писались потому что народ недоумевал: как так, вот в даташите напряжение открытия от 2 до 4В, подаем 5В, а он греется, и приводил ту строчку как аргумент.
с этим абсолютно не спорю.
только это совсем не то, о чем ты писал в сообщении 171
То. что размер значения Vgs влияет на степень открытия мосфета - это очевидно и с этим я не спорю.
Я спорю с тем, что условие (Vgs = Vds) имеет какой-то сакральный смысл. Судя по графику - никакого.
ну какойто смысл есть: на стоке и затворе одинаковое напряжение, поднимают плавно от нуля и то и другое, с 2 В начинает открываться транзистор)
На самом деле, график дает отличный ответ на этот вопрос. Из этого набора кривых при разных Vgs видно, что мосфет только-только начинает открываться на 4в, а полное его открытие не наступает даже и на 10в
мне понадобилось чтоб меня в это ткнули, я сначала тупил вместе с ТС
примесное истощение
тут со специалистом надо связываться)
те же p-n переход…ные яйца, , только вид сбоку
от тебя вобще ничего не скрыть)
твои танцы на граблях - занимательное действо.
можно было уже давно заглянуть в какой-нить учебник и узнать, что пресловутый p-n переход в полевике - конструктивно-паразитная структура, что в ДШ ее параметры вынесены в отдельную секцию и не имеют никакого отношения к передаточным характеристикам и прочему, касательно самого полевика.
Не царское дело Главному Отсылателю К Учебникам эти самые учебники читать.
Хоть вопрос не ко мне, но внесу пять копеек.
Думаю при больших токах происходит перегрев кристалла, а с повышением температуры растет сопротивление открытого канала. Но это не точно)
А по простому этот график означает, что если режим мосфета приходится на наклонный участок, то он работает примерно как резистор. При коммутации нагрузки мосфет не должен выходит на горизонтальный участок.
А если на горизонтальный - то как стабилизатор тока. Даже при незначительном повышении тока напряжение резко возрастает, соответственно растет выделяемая мощность. Этот режим может пригодится для стабилизации тока или если использовать мосфет как электронный дроссель.
Ширина импульсов 20мкс. Речи о перегреве не идёт.
А длина какая? А объём?
